型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube27745-24￥5.238025-49￥4.850050-99￥4.5784100-499￥4.4620500-2499￥4.38442500-4999￥4.28745000-9999￥4.2486≥10000￥4.1904 -
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品类: MOS管描述: N沟道 25V 81A759710-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 40V 250A 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube442110-99￥8.5320100-499￥8.1054500-999￥7.82101000-1999￥7.80682000-4999￥7.74995000-7499￥7.67887500-9999￥7.6219≥10000￥7.5935 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFR2607ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V69245-49￥14.742050-199￥14.1120200-499￥13.7592500-999￥13.67101000-2499￥13.58282500-4999￥13.48205000-7499￥13.4190≥7500￥13.3560 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R600E6XKSA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装88585-24￥3.159025-49￥2.925050-99￥2.7612100-499￥2.6910500-2499￥2.64422500-4999￥2.58575000-9999￥2.5623≥10000￥2.5272 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 V640210-99￥9.9480100-499￥9.4506500-999￥9.11901000-1999￥9.10242000-4999￥9.03615000-7499￥8.95327500-9999￥8.8869≥10000￥8.8537 -
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品类: MOS管描述: N-CH 600V 16A97461-9￥57.474210-99￥54.1765100-249￥51.7268250-499￥51.3499500-999￥50.97301000-2499￥50.54902500-4999￥50.1722≥5000￥49.9366 -
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET50445-24￥4.455025-49￥4.125050-99￥3.8940100-499￥3.7950500-2499￥3.72902500-4999￥3.64655000-9999￥3.6135≥10000￥3.5640 -
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品类: MOS管描述: 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET395610-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F102410-99￥8.4000100-499￥7.9800500-999￥7.70001000-1999￥7.68602000-4999￥7.63005000-7499￥7.56007500-9999￥7.5040≥10000￥7.4760 -
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品类: MOS管描述: FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220F40405-49￥16.883150-199￥16.1616200-499￥15.7576500-999￥15.65661000-2499￥15.55552500-4999￥15.44015000-7499￥15.3680≥7500￥15.2958 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N06LTU, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装300710-99￥6.3720100-499￥6.0534500-999￥5.84101000-1999￥5.83042000-4999￥5.78795000-7499￥5.73487500-9999￥5.6923≥10000￥5.6711 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。866710-99￥8.5200100-499￥8.0940500-999￥7.81001000-1999￥7.79582000-4999￥7.73905000-7499￥7.66807500-9999￥7.6112≥10000￥7.5828 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。23685-24￥6.115525-49￥5.662550-99￥5.3454100-499￥5.2095500-2499￥5.11892500-4999￥5.00575000-9999￥4.9604≥10000￥4.8924 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP12P20, 11.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装67215-49￥15.186650-199￥14.5376200-499￥14.1742500-999￥14.08331000-2499￥13.99242500-4999￥13.88865000-7499￥13.8237≥7500￥13.7588 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube15095-49￥29.039450-199￥27.7984200-499￥27.1034500-999￥26.92971000-2499￥26.75602500-4999￥26.55745000-7499￥26.4333≥7500￥26.3092 -
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品类: MOS管描述: FQA30N40 系列 400 V 140 mOhm 120 nC 通孔 N 沟道 Mosfet - TO-3PN64495-49￥28.021550-199￥26.8240200-499￥26.1534500-999￥25.98581000-2499￥25.81812500-4999￥25.62655000-7499￥25.5068≥7500￥25.3870 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA46N15 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V27065-49￥15.081350-199￥14.4368200-499￥14.0759500-999￥13.98571000-2499￥13.89542500-4999￥13.79235000-7499￥13.7279≥7500￥13.6634 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。11745-49￥13.256150-199￥12.6896200-499￥12.3724500-999￥12.29311000-2499￥12.21372500-4999￥12.12315000-7499￥12.0665≥7500￥12.0098 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF770N15A, 10 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装468710-99￥7.0320100-499￥6.6804500-999￥6.44601000-1999￥6.43432000-4999￥6.38745000-7499￥6.32887500-9999￥6.2819≥10000￥6.2585 -
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品类: MOS管描述: FDPF5N50NZ 系列 500 V 1.5 Ohm 30 W N 沟道 Mosfet - TO-220F182010-99￥10.2480100-499￥9.7356500-999￥9.39401000-1999￥9.37692000-4999￥9.30865000-7499￥9.22327500-9999￥9.1549≥10000￥9.1207 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF16N50UT, 15 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装50835-49￥16.766150-199￥16.0496200-499￥15.6484500-999￥15.54811000-2499￥15.44772500-4999￥15.33315000-7499￥15.2615≥7500￥15.1898 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF7N60NZ, 6.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装355310-99￥12.0000100-499￥11.4000500-999￥11.00001000-1999￥10.98002000-4999￥10.90005000-7499￥10.80007500-9999￥10.7200≥10000￥10.6800 -
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品类: MOS管描述: FCPF22N60NT 管装641710-99￥9.1800100-499￥8.7210500-999￥8.41501000-1999￥8.39972000-4999￥8.33855000-7499￥8.26207500-9999￥8.2008≥10000￥8.1702 -
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品类: MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。50901-9￥76.452010-99￥73.1280100-249￥72.5297250-499￥72.0643500-999￥71.33301000-2499￥71.00062500-4999￥70.5353≥5000￥70.1364 -
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品类: MOS管描述: MOSFET 40V94025-49￥16.777850-199￥16.0608200-499￥15.6593500-999￥15.55891000-2499￥15.45852500-4999￥15.34385000-7499￥15.2721≥7500￥15.2004 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF20N06L, 15.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装36715-24￥3.199525-49￥2.962550-99￥2.7966100-499￥2.7255500-2499￥2.67812500-4999￥2.61895000-9999￥2.5952≥10000￥2.5596 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装45405-49￥16.532150-199￥15.8256200-499￥15.4300500-999￥15.33111000-2499￥15.23212500-4999￥15.11915000-7499￥15.0485≥7500￥14.9778
